الرئيسية - أرشيف الوسم : الإلكترونيات المرنة

أرشيف الوسم : الإلكترونيات المرنة

تطوير ترانزيستور ضوئي مرن، الأسرع على الإطلاق حتى الآن!

أعلن مجموعة من الباحثين في جامعة ويسكونسن ماديسون UW-Madison عن تمكنهم من تطوير ترانزيستور ضوئي Phototransistor يتميز بكونه الأسرع، والأكثر مرونة حتى الآن، وذلك اعتماداً على غشاءٍ نانويّ سليكونيّ أحادي البلورة. الترانزيستور الضوئي عبارة عن عنصر إلكتروني نصف ناقل، يعمل ...

أكمل القراءة »

بناء دارة الكترونية ضوئية مرنة بأبعاد صغرية

حدث العديد من التّطورات الهامة بمجال الالكترونيات المرنة Flexible Electronics خلال العقد الماضي. بكل الأحوال، فإن التّطور والتقدم بمجال الدارات الالكترونية الضوئية قد تأخر نوعاً ما، على الأقل حتى الآن. وفي بحثٍ علمي جديد، أعلن مجموعة من الباحثين بجامعة “غينت” ...

أكمل القراءة »