ترانزستورات تأثير المجال

ترانزستورات الرقائق النانوية المتراكبة: فكرة إنتل الجديدة للمحافظة على قانون مور

كشفت شركة إنتل عن مبدأ تصميميّ جديد يعتمد على ترانزستورات الرقائق النانوية، والذي من شأنه المساعدة في تكديس الترانزستورات على الشرائح بشكلٍ مستمر والمحافظة على قانون مور إنتل، الترانزستور وقانون…