الوسم: ترانزيستورات الرقائق النانوية

كشفت شركة إنتل عن مبدأ تصميميّ جديد يعتمد على ترانزستورات الرقائق النانوية، والذي من شأنه المساعدة في تكديس الترانزستورات على الشرائح بشكلٍ مستمر والمحافظة على قانون مور إنتل، الترانزستور وقانون مور تعتمد الدارات المنطقية في الأجهزة الرقمية التي نستخدمها اليوم على اقتران نوعين من الترانزستورات هما ترانزستور موسفيت ذو القناة السالبة NMOS وترانزستور موسفيت ذو […]